StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

Rezultatai: 27
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
5 132Prieinamumas
400Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
782Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 282 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
Duomenų Lapas
52 877Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TISON-8
Duomenų Lapas
6 660Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.2 mOhms, 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
Duomenų Lapas
4 050Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
1 176Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 2 Channel 100 V 11 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
1 119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 75 V 195 A 1.85 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 380 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
14 400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
Duomenų Lapas
13 114Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 79 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
16 756Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 709Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Duomenų Lapas
6 429Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Duomenų Lapas
684Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Duomenų Lapas
1 900Prieinamumas
22 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
Duomenų Lapas
3 464Prieinamumas
5 600Tikėtina 2027-03-08
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 522 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
Duomenų Lapas
1 328Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 225 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7
Duomenų Lapas
800Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Duomenų Lapas
3 104Prieinamumas
3 200Tikėtina 2026-11-12
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
269Prieinamumas
400Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
3 292Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
111Prieinamumas
3 600Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Duomenų Lapas
242Prieinamumas
2 800Tikėtina 2026-09-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
Duomenų Lapas
55 900Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 963Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
Duomenų Lapas
2 998Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube