High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Montavimo stilius
Technologijos
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL3
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL3
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL1
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL1
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
3Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C Screw Mount Si