Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL3
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL3
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL1
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL1
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Igbt Moduliai PM-IGBT-SBD-BL2
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C