1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
450Tikėtina 2026-09-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 800
Daugkart.: 800
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101