UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Rezultatai: 29
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
1 207Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
545Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
1 877Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
787Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
486Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
764Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
833Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
638Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
521Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
857Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
1 303Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
1 475Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
2 815Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
2 844Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
3 856Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-
Duomenų Lapas
444Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263
Duomenų Lapas
322Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL
Duomenų Lapas
1 269Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
2 157Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
396Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
385Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Duomenų Lapas
446Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
536Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
Duomenų Lapas
164Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET