Rezultatai: 37
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
10 467Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
884Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 36 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
Duomenų Lapas
8 765Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Duomenų Lapas
129Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
597Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
2 588Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
7 857Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
8 883Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 18.1 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Duomenų Lapas
168Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
Duomenų Lapas
403Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 890 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
348Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
4 168Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 20.7A TO220-3
Duomenų Lapas
868Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 87 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Duomenų Lapas
886Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
3 296Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
5 347Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
711Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 94 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
531Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Duomenų Lapas
328Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
3 909Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-04-09
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 500 V 2.4 A 4.68 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3
Duomenų Lapas
793Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CE
Duomenų Lapas
922Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 32.6 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
952Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.1 A 1.17 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 18.7 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Duomenų Lapas
399Prieinamumas
500Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs CONSUMER
Duomenų Lapas
1 593Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube