Rezultatai: 41
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Duomenų Lapas
274Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Duomenų Lapas
193Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
418Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
272Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
282Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1500 V High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
347Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
194Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 1
Duomenų Lapas
280Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
3 373Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Duomenų Lapas
1 690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
Duomenų Lapas
961Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1500V High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
317Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Duomenų Lapas
74Prieinamumas
300Tikėtina 2026-10-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Duomenų Lapas
550Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.5 Amps 1000V
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Duomenų Lapas
320Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs >1200V High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
300Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Duomenų Lapas
800Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 300
Daugkart.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 65 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 49 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube