Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 102
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 800V 5A 3 883Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-N-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 108 914Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz 259 127Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 146 103Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT CST-3 PNP

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V 9 864Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 6 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 8 442Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8 342Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-416-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 502Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-05-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV 385Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMV-5 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz 5 759Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 666Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans 17 340Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 9 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS-SS NPN SOT323 50V 6 284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A 13 790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor for Low Freq. Amplification 127 194Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W 2 822Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT PNP 230V 15A 1 382Prieinamumas
800Tikėtina 2026-04-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1 556Prieinamumas
1 225Tikėtina 2026-04-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V 74 715Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 2 186Prieinamumas
2 475Tikėtina 2026-04-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT Transistor NPN 230V 15A 1 473Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V 1 658Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 NPN