CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 35
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
799Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
192Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 356Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
837Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 616Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
3 495Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
Duomenų Lapas
2 130Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
2 720Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
829Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
178Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
195Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-04-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
693Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
909Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
838Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
403Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
188Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
924Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
269Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
56Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
151Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
177Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm
Duomenų Lapas
120Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel