CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 33
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
780Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
824Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 868Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 453Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
Duomenų Lapas
1 236Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
1 502Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
494Prieinamumas
750Tikėtina 2026-07-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 578Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 942Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
168Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
673Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
845Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 008Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
172Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
874Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
198Tikėtina 2026-05-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
147Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
131Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
234Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
240Tikėtina 2026-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 994Tikėtina 2027-03-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 000Tikėtina 2026-05-26
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT