CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

Puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 41
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
Duomenų Lapas
592Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
153Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-26
Min.: 1
Daugkart.: 1



Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
Duomenų Lapas
1 310Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
91Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
155Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
132Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
480Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
480Tikėtina 2026-06-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 11 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1