CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 41
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 3 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 817Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 8 222Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 729Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 653Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 437Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 019Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 861Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 2 583Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 434Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 567Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 261Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 497Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 10 172Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-05-14
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 2 179Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 7 167Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 588Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 254Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 132Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1