CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 41
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS


Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 3 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 865Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 739Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 783Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 8 222Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 466Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 477Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 444Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 692Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 911Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 051Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 10 172Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-02-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 583Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 766Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 6 693Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 7 690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 767Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 607Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 269Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 310Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 2 451Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 222Prieinamumas
720Tikėtina 2026-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1