AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

Rezultatai: 34
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
506Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
350Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Duomenų Lapas
1 822Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
750Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
1 619Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Duomenų Lapas
454Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
345Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Duomenų Lapas
701Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
Duomenų Lapas
669Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
301Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
Duomenų Lapas
787Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Duomenų Lapas
499Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
810Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
Duomenų Lapas
311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Duomenų Lapas
1 201Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
Duomenų Lapas
547Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
Duomenų Lapas
1 996Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
Duomenų Lapas
740Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 24 A 62 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement