Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Rezultatai: 95
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Duomenų Lapas
1 292Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Duomenų Lapas
2 549Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance
Duomenų Lapas
951Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000


onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Duomenų Lapas
569Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Duomenų Lapas
430Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi Gate Tvarkyklės Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
Duomenų Lapas
19 089Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000


onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Duomenų Lapas
1 824Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
Duomenų Lapas
3 923Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver
Duomenų Lapas
24 079Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000


onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver
Duomenų Lapas
8 270Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
Duomenų Lapas
1 511Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Duomenų Lapas
1 014Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800


onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V
Duomenų Lapas
996Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET 60MOHM
Duomenų Lapas
265Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Duomenų Lapas
3 326Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
Duomenų Lapas
2 060Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
Duomenų Lapas
2 176Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000



onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
Duomenų Lapas
931Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Duomenų Lapas
686Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 900V
Duomenų Lapas
1 230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
Duomenų Lapas
1 326Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi Gate Tvarkyklės Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver
Duomenų Lapas
1 297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V
Duomenų Lapas
1 861Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1