Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Rezultatai: 95
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20
: 800

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 18 935Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1 220Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 296Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver 21 219Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT gate driver 7 982Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 404Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 423Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13 951Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 893Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 214Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 1 276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V 1 859Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1 782Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 509Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 900V 1 078Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 60


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1 185Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 40



onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 738Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1 046Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1 931Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 143Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1 589Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 400Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1