Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

FF900R12ME7B11NPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7B11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7B11N1
Price: 216.62 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-FF900R12ME7B11N1

Mfr. #:

FF900R12ME7B11NPSA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module

Duomenų Lapas:

FF900R12ME7B11NPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FF900R12ME7B11NPSA1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 20

Tikėtina 2026-04-28
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	216,62 €	216,62 €
	184,62 €	1 846,20 €
100	Pasiūlymas

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	Igbt Moduliai
RoHS:	N
Gaminys:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.5 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	900 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	100 nA
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gaminio tipas:	IGBT Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	IGBTs
Technologijos:	Si
Prekinis pavadinimas:	EconoDUAL
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	FF900R12ME7_B11 SP005422550

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

FF900R12ME7B11NPSA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

FF900R12ME7_B11 Dual IGBT Module

Infineon Technologies FF900R12ME7_B11 Dual IGBT Module features EconoDUAL™ 3, a dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module, a negative temperature coefficient (NTC) thermistor, and PressFIT contact technology. This IGBT module features high power density, improved terminals, and an integrated NTC temperature sensor. The FF900R12ME7_B11 module offers easy and reliable assembly and avoids the paralleling of IGBT modules. Infineon Technologies FF900R12ME7_B11 Dual IGBT Module includes optimized creepage distance for 1500V PV applications, pressFIT control pins, and screw power terminals. The module is ideal for use in motor control devices, solutions for solar energy systems, servo drives, and uninterruptible power supplies (UPS).

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.