XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė Pd - skaidos galia Pakuotė / Korpusas Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC 5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1200 A dual IGBT module 24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module 11Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 4
Daugkart.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray