GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Rezultatai: 33
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 250
Daugkart.: 250
Reel: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C