GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

Rezultatai: 32
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Didžiausias darbinis dažnis
Minimalus darbinis dažnis
Technologijos
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos

SMD/SMT Die N-Channel 50 V 4 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V 18 GHz 10 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 3.5 GHz 3.1 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Duomenų Lapas
937Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Duomenų Lapas
471Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Duomenų Lapas
2 251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Duomenų Lapas
767Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Duomenų Lapas
278Prieinamumas
500Tikėtina 2026-12-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C 4 GHz 2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
175Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C 6 GHz 4.5 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
570Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Duomenų Lapas
608Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C 1.4 GHz 960 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C 5.9 GHz 5.2 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
225Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Duomenų Lapas
21Tikėtina 2026-09-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 1 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Duomenų Lapas
735Tikėtina 2026-09-22
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C 18 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Duomenų Lapas
Daugiau Informacijos Suteikiama

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C 15 GHz 0 Hz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C 2.5 GHz 500 MHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
Duomenų Lapas
Produkto pastabos

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V 6 GHz 4 GHz GaN
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C 1.4 GHz 1.2 GHz GaN