NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Rezultatai: 8
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
647Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
689Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
690Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C