DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Rezultatai: 113
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
Duomenų Lapas
53Prieinamumas
250Tikėtina 2026-04-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
Duomenų Lapas
94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
Duomenų Lapas
78Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Duomenų Lapas
128Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Duomenų Lapas
31Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Duomenų Lapas
156Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Duomenų Lapas
121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
79Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
7Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
Duomenų Lapas
254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Duomenų Lapas
150Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
98Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Duomenų Lapas
58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
131Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
Duomenų Lapas
43Prieinamumas
50Tikėtina 2026-03-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
Duomenų Lapas
34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube