Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TK10Q60W,S1VQ

Name: Toshiba TK10Q60W,S1VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK10Q60WS1VQ
Price: 4.23 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

757-TK10Q60WS1VQ

Mfr. #:

TK10Q60W,S1VQ

Gam.:

Toshiba

Aprašymas:

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

Duomenų Lapas:

TK10Q60W,S1VQ Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Toshiba TK10Q60W,S1VQ

Prieinamumas: 150

Turime sandėlyje:: 150 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	4,23 €	4,23 €
	2,34 €	23,40 €
	2,06 €	154,50 €
	1,53 €	803,25 €
	1,51 €	1 585,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Toshiba
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-251-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	9.7 A
RDS On - Drain-Source Varža:	327 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.7 V
Qg – vartų krūvis:	20 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	80 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	DTMOSIV
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Toshiba
Configuration:	Single
Rudens laikas:	5.5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	22 ns
Serija:	TK10Q60W
Gamyklinės pakuotės kiekis:	75
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	75 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	45 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	340 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TK10Q60W,S1VQ Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.