Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Rezultatai: 30
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Renesas Electronics GaN FET 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 85mohm GaN FET in TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in TO220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN