Rezultatai: 44
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
1 122Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
606Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Duomenų Lapas
425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
650Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Duomenų Lapas
7 838Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Duomenų Lapas
347Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Duomenų Lapas
198Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
305Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
1 583Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Duomenų Lapas
348Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Duomenų Lapas
420Prieinamumas
480Tikėtina 2026-09-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Duomenų Lapas
758Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Duomenų Lapas
338Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Duomenų Lapas
350Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
Duomenų Lapas
101Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Duomenų Lapas
176Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
Duomenų Lapas
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Duomenų Lapas
201Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Duomenų Lapas
232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Duomenų Lapas
182Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Duomenų Lapas
317Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube