CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

Rezultatai: 30
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
651Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
1 148Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
345Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
444Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
1 121Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-05-21
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
1 827Prieinamumas
1 250Tikėtina 2026-03-19
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
179Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
594Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
830Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-02-26
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
176Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
1 180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
1 004Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
840Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
222Prieinamumas
720Tikėtina 2026-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
153Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Duomenų Lapas
57Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-02-16
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
255Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
422Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Duomenų Lapas
68Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
173Prieinamumas
960Tikėtina 2026-05-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
159Prieinamumas
240Tikėtina 2026-02-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
80Prieinamumas
480Tikėtina 2026-08-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 220 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC