EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Rezultatai: 31
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Duomenų Lapas
7 478Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
832Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Duomenų Lapas
1 041Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
Duomenų Lapas
409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Duomenų Lapas
1 044Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Duomenų Lapas
1 715Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Duomenų Lapas
3 000Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
7 616Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Duomenų Lapas
2 551Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Duomenų Lapas
1 725Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 516Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
475Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
936Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Duomenų Lapas
2 893Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Duomenų Lapas
2 927Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Duomenų Lapas
2 920Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 117 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Duomenų Lapas
2 996Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Duomenų Lapas
835Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
314Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Duomenų Lapas
461Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 387Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-07-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
70Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Duomenų Lapas
500Turimos Atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 50
Daugkart.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube