Visi rezultatai (11)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
389Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
695Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 065Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
102Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
182Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
939Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
88Prieinamumas
1 350Tikėtina 2026-10-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
450Tikėtina 2026-05-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
3 150Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
1 188Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1