Visi rezultatai (11)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 125Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
275Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
84Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
685Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
450Tikėtina 2027-01-18
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
867Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
413Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
2 313Prieinamumas
450Tikėtina 2026-09-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
1 350Tikėtina 2026-10-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
1 190Tikėtina 2027-01-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1