Puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
389Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
695Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
149Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
902Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
1 350Tikėtina 2026-10-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
450Tikėtina 2026-07-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
3 150Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
1 190Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor Power Management IC Development Tools Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1