Rezultatai: 27
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
4 330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
1 436Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
5 096Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
Duomenų Lapas
721Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
2 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
2 738Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
5 197Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 198 A 2.55 mOhms 20 V 3.9 V - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
531Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-10-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
434Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
7 200Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
905Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
2 175Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 333 A 1.3 mOhms 20 V 4.1 V 158 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
615Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms 20 V 3.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
12 600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
266Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
92Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
11 970Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
11 751Tikėtina 2026-12-24
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
5 000Tikėtina 2026-11-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
5 979Tikėtina 2026-10-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
10 000Tikėtina 2026-09-24
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 500
Daugkart.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape