OptiMOS™ 5 Power MOSFETs

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom, and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) and motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converter applications.

Rezultatai: 86
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
1 553Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
4 330Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
4 762Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
2 872Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
2 842Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 399 A 1.1 Ohms 20 V 3.3 V 110 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 661Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 122 A 6.3 mOhms 20 V 4.6 V 47 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
4 063Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
1 436Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
2 425Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 330 A 1.05 mOhms 20 V 3.3 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
5 096Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
Duomenų Lapas
7 890Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 276 A 1.3 mOhms 20 V 3.3 V 90 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
Duomenų Lapas
4 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 224 A 1.15 mOhms 16 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
Duomenų Lapas
3 524Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 259 A 1.5 mOhms 20 V 3.3 V 70 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Duomenų Lapas
2 831Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
4 019Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
4 165Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-10-22
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
5 292Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 800 uOhms 20 V 3.6 V 185 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Duomenų Lapas
2 925Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
Duomenų Lapas
721Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
2 514Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
2 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V
Duomenų Lapas
6 919Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
2 776Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
5 268Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
2 738Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape