Rezultatai: 86
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Kvalifikacija Prekinis pavadinimas Pakavimas
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET P-Channel
18 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 24.9 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
56 904Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 311 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-Signal MOSFET
109 990Tikėtina 2026-07-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
130 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
26 938Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
34 204Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A
12 000Tikėtina 2026-06-26
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 242 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel

Toshiba MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 66 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel