Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SSM3K56ACT,L3F

Name: Toshiba SSM3K56ACT,L3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM3K56ACTL3F
Price: 0.32 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

757-SSM3K56ACTL3F

Mfr. #:

SSM3K56ACT,L3F

Gam.:

Toshiba

Aprašymas:

MOSFETs Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V

Duomenų Lapas:

SSM3K56ACT,L3F Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Toshiba SSM3K56ACT,L3F

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: 0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 90 000

Tikėtina 2026-04-10

50 000

Tikėtina 2026-04-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 10000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	0,327 €	0,33 €
	0,203 €	2,03 €
	0,128 €	12,80 €
	0,095 €	47,50 €
	0,076 €	76,00 €
	0,065 €	325,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 10000)
	0,052 €	520,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Toshiba
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	CST3-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	20 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	1.4 A
RDS On - Drain-Source Varža:	840 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 8 V, 8 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	400 mV
Qg – vartų krūvis:	1 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	500 mW
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	U-MOSVII-H
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	Toshiba
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	TH
Tiesioginis laidumas - min:	1.4 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Serija:	SSM3K36
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10000
Subkategorija:	Transistors
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	0,750 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SSM3K56ACT,L3F Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

SSM3 High Current MOSFETs

Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Toshiba SSM3 High Current MOSFETs are ideal for mobile devices (wearable devices, smartphones, tablet PCs, etc.), load switches, DC-DC converters, and general-purpose switches.

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

Discrete Thermostat Solution

Toshiba Discrete Thermostat Solution provides improved reliability and performance in a smaller footprint. The accelerating demand for energy-efficient solutions and a surge in the number of smart home devices will encourage significant growth for smart thermostats. Efficient energy savings, smart controlling, and reduction in per unit energy cost are some underlining parameters that will guide the industry moving forward. It’s essential to reduce power consumption and space requirements and improve operating life to increase the functionality and performance of these devices. Toshiba offers products that meet these critical requirements with the current LDO technologies and photo relays, which have garnered much success in thermostats and other similar designs.