Visi rezultatai (137)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
EPC GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 4 990Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC Power Management IC Development Tools 100 V, 40 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2302 6Prieinamumas
4Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
20 000Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
30 000Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
15 000Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
15 000Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
15 000Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/3A
10Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
7 500Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
3 000Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
4 998Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Tikėtina 2026-05-08
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
2 500Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
7 500Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
12 500Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/10A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 350V/4A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/40A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/25A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 200V/8A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 40V/25A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/45A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/25A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/5A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 1