STGD4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGD4M65DF2
STGD4M65DF2

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 128

Turime sandėlyje:
2 128 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,31 € 1,31 €
0,824 € 8,24 €
0,547 € 54,70 €
0,432 € 216,00 €
0,39 € 390,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,33 € 825,00 €
0,316 € 1 580,00 €
0,312 € 3 120,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGD4M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max: 8 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: +/- 250 uA
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: IGBTs
Vieneto Svoris: 330 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.