IR2132JTRPBF
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
Gate Tvarkyklės 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
Prieinamumas
-
Turime sandėlyje:
-
Ne Sandėlyje EsantysĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Visa Ritė (Užsakoma po 500) | ||
| 3,99 € | 1 995,00 € | |
| 3,78 € | 3 780,00 € | |
| 3,72 € | 9 300,00 € | |
Alternatyvi pakuotė
Duomenų Lapas
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Six-Output 600V MGDs Simplify 3-Phase Motor Drives (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Lietuva
