IR2132JPBF
Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas
Žr. produkto specifikacijas
942-IR2132JPBF
IR2132JPBF
Gam.:
Aprašymas:
Gate Tvarkyklės 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
Gate Tvarkyklės 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT
Eksploatacijos Laikotarpis:
Netinkama eksploatuoti:
Planuojama, kad gaminys taps nebenaudojamas ir gamintojas jo nebetieks.
Duomenų Lapas:
Prieinamumas: 633
-
Turime sandėlyje:
-
633 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 633 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| 6,63 € | 6,63 € | |
| 5,40 € | 54,00 € | |
| 5,25 € | 131,25 € | |
| 4,90 € | 490,00 € | |
| 4,89 € | 11 090,52 € |
Duomenų Lapas
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Six-Output 600V MGDs Simplify 3-Phase Motor Drives (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
EOL
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
