ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, automotive-grade MOSFETs. These MOSFETs feature -40V to 100V drain-source voltage range, 8 terminals, up to 69W power dissipation, and ±12A to ±27A continuous drain current. The RQ3xFRATCB power MOSFETs are available in N-channel and P-channel. These power MOSFETs come in a small 3.3mm x 3.3mm HSMT8AG package. The RQ3xFRATCB power MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), infotainment, lighting, and body.

Features

  • AEC-Q101 qualified
  • Small and high-powered package
  • Realization of high mounting reliability by the original terminal and plating treatment
  • Available in N-channel and P-channel
  • 3.3mm x 3.3mm (t=0.8) size
  • HSMT8AG package

Applications

  • Advanced Driver Assistance Systems (ADAS)
  • Infotainment
  • Lighting
  • Body
View Results ( 3 ) Page
Dalies Numeris Duomenų Lapas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Qg – vartų krūvis Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Pd - skaidos galia Rudens laikas Tiesioginis laidumas - min Kilimo Laikas Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė
RQ3G270BJFRATCB RQ3G270BJFRATCB Duomenų Lapas P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms 32 nC 2.5 V 69 W 37 ns 11 S 15 ns 126 ns 10 ns
RQ3G120BJFRATCB RQ3G120BJFRATCB Duomenų Lapas P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms 15.5 nC 2.5 V 40 W 9.8 ns 6.5 S 4.7 ns 36 ns 6.7 ns
RQ3L120BJFRATCB RQ3L120BJFRATCB Duomenų Lapas P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms 15.7 nC 2.5 V 40 W 18 ns 7.8 S 13 ns 52 ns 8.7 ns
Paskelbta: 2024-05-22 | Atnaujinta: 2024-06-11