STDRIVEG612 600V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG612 600V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 600V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG612 optimized for driving high-speed GaN.

Rezultatų Nerasta.
Pabandykite pakeisti toliau pateiktą paieškos žodį arba apsilankykite mūsų Pagalbos Centre.

Ieškoti Pasiūlymų

  • Patikrinkite dalies numerio arba raktažodžių rašybą
  • Naudokite mažiau arba kitokius raktažodžius
  • Ieškoti pagal 1 dalies numerį vienu metu
  • Vienu metu taikykite 1 filtrą