|
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS20/SOT23/TO-236AB
- BFS20,235
- Nexperia
-
1:
0,533 €
-
8 797Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-BFS20235
|
Nexperia
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS20/SOT23/TO-236AB
|
|
8 797Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
Microchip Technology LXP1002-23-4
- LXP1002-23-4
- Microchip Technology
-
1:
4,61 €
-
208Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-LXP1002-23-4
|
Microchip Technology
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
|
|
208Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
Ne
|
PIN Diodes
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai PNP RF Transistor
- MMBTH81
- onsemi
-
1:
0,095 €
-
50 391Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-MMBTH81
|
onsemi
|
RD dvipoliai tranzistoriai PNP RF Transistor
|
|
50 391Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
- BFS17NTA
- Diodes Incorporated
-
1:
0,482 €
-
8 693Prieinamumas
-
15 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
522-BFS17NTA
|
Diodes Incorporated
|
RD dvipoliai tranzistoriai SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
|
|
8 693Prieinamumas
15 000Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR106E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,327 €
-
101 347Prieinamumas
-
27 000Tikėtina 2027-01-28
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR106E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
101 347Prieinamumas
27 000Tikėtina 2027-01-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR93AE6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,267 €
-
38 033Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR93AE6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
38 033Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor
- MMBT5179
- onsemi
-
1:
0,31 €
-
219Prieinamumas
-
60 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-MMBT5179
|
onsemi
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor
|
|
219Prieinamumas
60 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
219 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
9 000 Tikėtina 2027-10-13
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS19/SOT23/TO-236AB
- BFS19,215
- Nexperia
-
1:
0,533 €
-
5 266Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-BFS19215
|
Nexperia
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS19/SOT23/TO-236AB
|
|
5 266Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS20/SOT23/TO-236AB
- BFS20,215
- Nexperia
-
1:
0,86 €
-
1 222Prieinamumas
-
9 000Tikėtina 2027-10-04
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-BFS20215
|
Nexperia
|
RD dvipoliai tranzistoriai BFS20/SOT23/TO-236AB
|
|
1 222Prieinamumas
9 000Tikėtina 2027-10-04
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
- 15GN03CA-TB-E
- onsemi
-
1:
0,146 €
-
6 410Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-15GN03CA-TB-E
|
onsemi
|
RD dvipoliai tranzistoriai BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G
|
|
6 410Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai SS VHF XSTR SPCL TR
- NSVMMBTH10LT1G
- onsemi
-
1:
0,224 €
-
1 738Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2027-07-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NSVMMBTH10LT1G
|
onsemi
|
RD dvipoliai tranzistoriai SS VHF XSTR SPCL TR
|
|
1 738Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-07-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BF 771 E6327
- Infineon Technologies
-
1:
0,98 €
-
873Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BF771E6327
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
873Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BF771E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,267 €
-
491Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BF771E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
491Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR182E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,464 €
-
128Prieinamumas
-
18 000Tikėtina 2027-02-04
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR182E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
128Prieinamumas
18 000Tikėtina 2027-02-04
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Pin Diodes Rs= .6 Ohms Max. -65C +150C
- MA4P7447-287T
- MACOM
-
1:
2,95 €
-
216Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MA4P7447-287T
|
MACOM
|
Pin Diodes Rs= .6 Ohms Max. -65C +150C
|
|
216Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
PIN Diodes
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
- BFR193E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,327 €
-
3Prieinamumas
-
525 000Pagal užsakymą
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR193E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
|
|
3Prieinamumas
525 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
3 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
315 000 Tikėtina 2027-02-04
210 000 Tikėtina 2027-02-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
30 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai VCEO=40V IC=600mA
- MMBT2222A-G
- Comchip Technology
-
1:
0,232 €
-
23 080Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
750-MMBT2222A-G
|
Comchip Technology
|
RD dvipoliai tranzistoriai VCEO=40V IC=600mA
|
|
23 080Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
- BFR92PE6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,327 €
-
89 600Tikėtina 2027-02-04
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR92PE6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
|
|
89 600Tikėtina 2027-02-04
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
- BFR183E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,267 €
-
72 178Pagal užsakymą
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR183E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
|
|
72 178Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
48 178 Tikėtina 2026-10-23
24 000 Tikėtina 2026-11-05
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR181E6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,267 €
-
7 409Tikėtina 2027-02-18
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR181E6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
7 409Tikėtina 2027-02-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
- BFR35APE6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,284 €
-
2 499Tikėtina 2027-01-28
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BFR35APE6327HTSA
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
RD dvipoliai tranzistoriai NPN Silicon RF TRANSISTOR
|
|
2 499Tikėtina 2027-01-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
RF Bipolar Transistors
|
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
- LXP1000-23-4
- Microchip Technology
-
133:
6,06 €
-
Ne Sandėlyje Esantys
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-LXP1000-23-4
|
Microchip Technology
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
|
|
Ne Sandėlyje Esantys
|
|
Min.: 133
Daugkart.: 1
|
|
PIN Diodes
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic Plastic SMT
- LXP1002-23-3/TR
- Microchip Technology
-
1 000:
4,38 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-LXP1002-23-3/TR
|
Microchip Technology
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic Plastic SMT
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
|
|
PIN Diodes
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
Microchip Technology LXP1000-23-2
- LXP1000-23-2
- Microchip Technology
-
500:
3,99 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-LXP1000-23-2
|
Microchip Technology
|
Pin Diodes Si PIN Non Hermetic EPSM SMT
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 500
Daugkart.: 500
:
500
|
Ne
|
PIN Diodes
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|