200 MHz DRAM

Rezultatai: 125
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Tipas
Atminties dydis
Duomenų bus plotis
Didžiausias taktų dažnis
Pakuotė / Korpusas
Organizavimas
Prieigos laikas
Maitinimo Įtampa - Min.
Maksimali Maitinimo Įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
369Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
Duomenų Lapas
112Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
Duomenų Lapas
108Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
14 300Tikėtina 2026-12-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Duomenų Lapas
59Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Duomenų Lapas
96Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
338Tikėtina 2027-02-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 4 800
Daugkart.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 260
Daugkart.: 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 260
Daugkart.: 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 3 380
Daugkart.: 3 380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1A Reel