200 MHz DRAM

Rezultatai: 134
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Tipas
Atminties dydis
Duomenų bus plotis
Didžiausias taktų dažnis
Pakuotė / Korpusas
Organizavimas
Prieigos laikas
Maitinimo Įtampa - Min.
Maksimali Maitinimo Įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
2 009Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
902Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Duomenų Lapas
553Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
1 646Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
143Prieinamumas
4 800Tikėtina 2026-08-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
636Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
Duomenų Lapas
426Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Duomenų Lapas
844Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V
Duomenų Lapas
449Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray

Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R
Duomenų Lapas
1 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz 32 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
Duomenų Lapas
312Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz VFBGA-60 32 M x 16 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C W949D6DB Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
Duomenų Lapas
1 192Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die
Duomenų Lapas
108Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Tray
Winbond DRAM 512Mb LPDDR, x32, 200MHz
Duomenų Lapas
73Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 200 MHz VFBGA-90 16 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 25 C + 85 C W949D2DB Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
Duomenų Lapas
34Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Duomenų Lapas
142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160F
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray
Duomenų Lapas
101Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A)
Duomenų Lapas
189Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
Duomenų Lapas
159Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
Duomenų Lapas
2 618Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
Duomenų Lapas
3 665Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
3 677Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Duomenų Lapas
885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies DRAM SPCM
Duomenų Lapas
650Prieinamumas
3 380Tikėtina 2027-02-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray