Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Atminties integrinių grandynų tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 51
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Atminties dydis
Interface Type
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Duomenų Lapas
471Tikėtina 2026-08-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
551Tikėtina 2026-09-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
2 828Tikėtina 2026-09-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Duomenų Lapas
960Tikėtina 2027-02-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Duomenų Lapas
476Tikėtina 2027-02-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
Duomenų Lapas
956Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Duomenų Lapas
200Tikėtina 2027-03-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 480
Daugkart.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 480
Daugkart.: 480

SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 480
Daugkart.: 480

SRAM
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
: 2 500
SRAM
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 480
Daugkart.: 480

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel