|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
- BSM120D12P2C005
- ROHM Semiconductor
-
1:
328,94 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM120D12P2C005
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
134 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
2.3 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
935 W
|
BSMx
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
- BSM180D12P3C007
- ROHM Semiconductor
-
1:
551,00 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180D12P3C007
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
180 A
|
|
- 4 V, + 22 V
|
2.7 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
880 W
|
BSMx
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai 300A SiC Power Module
- BSM300D12P2E001
- ROHM Semiconductor
-
1:
635,43 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P2E001
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 300A SiC Power Module
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
300 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
2.7 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.875 kW
|
BSMx
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM600D12P3G001
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 637,31 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM600D12P3G001
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
600 A
|
|
- 4 V, + 22 V
|
5.6 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
2.45 kW
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
605,32 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
300 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
5.6 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.36 kW
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
564,99 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
204 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
1.6 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.36 kW
|
BSMx
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM400D12P3G002
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 113,53 €
-
2Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM400D12P3G002
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
400 A
|
|
- 4 V, + 22 V
|
5.6 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.57 kW
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
- BSM300D12P3E005
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 226,60 €
-
4Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P3E005
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
300 A
|
|
- 4 V, + 22 V
|
5.6 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.26 kW
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
- BSM180D12P2C101
- ROHM Semiconductor
-
1:
465,39 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180D12P2C101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
204 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
2.7 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.36 kW
|
BSMx
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300D12P4G101
- ROHM Semiconductor
-
1:
552,31 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P4G101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
291 A
|
|
- 4 V, + 21 V
|
4.8 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
925 W
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM600D12P4G103
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 041,28 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM600D12P4G103
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
567 A
|
|
- 4 V, + 21 V
|
4.8 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.78 kW
|
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
- BSM250D17P2E004
- ROHM Semiconductor
-
1:
981,14 €
-
44Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM250D17P2E004
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
|
|
44Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.7 kV
|
250 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
4 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
1.8 kW
|
BSMx
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
MOSFET moduliai EASY
- F3L11MR12W2M1B74BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
140,67 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L11MR12W2M1B74
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EASY
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
100 A
|
11.3 mOhms
|
- 10 V, + 20 V
|
5.55 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20 mW
|
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
- NXH010P90MNF1PG
- onsemi
-
1:
100,02 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH010P90MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
900 V
|
154 A
|
14 mOhms
|
- 8 V, + 18 V
|
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
328 W
|
NXH010P90MNF1
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
- NXH020P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
110,33 €
-
28Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH020P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
|
|
28Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
51 A
|
30 mOhms
|
- 15 V, + 25 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
211 W
|
NXH020P120MNF1
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
- FS01MR12A8MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 329,90 €
-
24Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR12A8MA2BHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
|
|
24Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
12 Tikėtina 2026-08-13
12 Tikėtina 2026-08-21
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
39 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
6 Channel
|
1.2 kV
|
500 A
|
1.87 mOhms
|
- 5 V, 19 V
|
3.98 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
|
Drive G2
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
- MSCSM170AM029CT6LIAG
- Microchip Technology
-
1:
1 165,88 €
-
3Tikėtina 2026-08-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-M170AM029CT6LIAG
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
|
|
3Tikėtina 2026-08-24
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.7 kV
|
676 A
|
2.9 mOhms
|
- 10 V, + 23 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
3 kW
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
- NXH010P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
113,19 €
-
28Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH010P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
|
|
28Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
114 A
|
14 mOhms
|
- 15 V, + 25 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
413 W
|
NXH010P120MNF1
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
- NXH040P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
65,82 €
-
56Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH040P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
|
|
56Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
30 A
|
56 mOhms
|
- 15 V, + 25 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
NXH040P120MNF1
|
Tray
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS1P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
474,59 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS1P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
1.421 kA
|
1.7 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
3.659 kW
|
GCMS
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS1P4B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
410,59 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS1P4B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
1.013 kA
|
2.3 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
2.618 kW
|
GCMS
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS2P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
331,69 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS2P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
719 A
|
3.2 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
1.847 kW
|
GCMS
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
- GCMX1P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
321,62 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX1P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
1.473 kA
|
1.7 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
3.659 kW
|
GCMX
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
- GCMX1P4B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
271,87 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX1P4B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
1.01 kA
|
2.3 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
2.618 kW
|
GCMX
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
- GCMX2P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
234,54 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX2P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
1.2 kV
|
724 A
|
3.2 mOhms
|
- 4.5 V, 18 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
1.847 kW
|
GCMX
|
Bulk
|
|