GaN FET

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Technologijos
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
374Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
768Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
637Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
341Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 501 A 1.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 15.9 nC - 40 C + 150 C 735 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
693Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
552Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
2 500Tikėtina 2026-11-20
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

STMicroelectronics GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
500Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SMD/SMT FCLGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 201 A 3.5 mOhms - 4 V to + 6 V 2.1 V 6.3 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si