|
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A PIM IGBT module
- FB50R07W2E3B23BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
40,51 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FB50R07W2E3B23BO
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A PIM IGBT module
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EASY
- F3L11MR12W2M1B74BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
120,41 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L11MR12W2M1B74
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EASY
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
- BSM120D12P2C005
- ROHM Semiconductor
-
1:
389,40 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM120D12P2C005
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
- NXH010P90MNF1PG
- onsemi
-
1:
100,02 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH010P90MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
- NXH020P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
110,33 €
-
28Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH020P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
|
|
28Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 50A
- FS50R12W2T4
- Infineon Technologies
-
1:
39,47 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FS50R12W2T4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 50A
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 160 A booster IGBT module
- DF160R12W2H3F_B11
- Infineon Technologies
-
1:
77,92 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-DF160R12W2H3FB11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 160 A booster IGBT module
|
|
11Prieinamumas
|
|
|
77,92 €
|
|
|
66,03 €
|
|
|
66,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT MODULES 650V 150A
- F3L150R07W2E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
51,44 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-F3L150R07W2E3B11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT MODULES 650V 150A
|
|
16Prieinamumas
|
|
|
51,44 €
|
|
|
47,71 €
|
|
|
41,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A PIM IGBT module
- FB50R07W2E3C36BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
38,14 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FB50R07W2E3C36BP
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A PIM IGBT module
|
|
30Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A 3-level IGBT module
- FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
53,58 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS3L50R07W2H3FB1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 50 A 3-level IGBT module
|
|
12Prieinamumas
|
|
|
53,58 €
|
|
|
44,40 €
|
|
|
38,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
- VS-GT100TS065S
- Vishay Semiconductors
-
1:
76,21 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT100TS065S
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 80 A booster IGBT module
- DF80R07W1H5FPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
29,68 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF80R07W1H5FPB11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 80 A booster IGBT module
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
- FS01MR12A8MA2BHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 132,07 €
-
24Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS01MR12A8MA2BHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
|
|
24Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
12 Tikėtina 2026-08-21
12 Tikėtina 2026-08-28
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
39 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
- MSCSM170AM029CT6LIAG
- Microchip Technology
-
1:
1 165,88 €
-
3Tikėtina 2026-08-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-M170AM029CT6LIAG
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
|
|
3Tikėtina 2026-08-13
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
- FF800R12KE7DS8HPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
184,32 €
-
30Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF800R12KE7DS8HP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
|
|
30Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
- VS-GT100TS065N
- Vishay Semiconductors
-
1:
58,29 €
-
30Tikėtina 2026-10-20
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT100TS065N
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
|
|
30Tikėtina 2026-10-20
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
- VS-GT200TS065N
- Vishay Semiconductors
-
1:
79,22 €
-
15Tikėtina 2026-08-10
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT200TS065N
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - IAP IGBT
|
|
15Tikėtina 2026-08-10
|
|
|
79,22 €
|
|
|
70,27 €
|
|
|
59,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
- NXH010P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
113,19 €
-
28Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH010P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
|
|
28Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
- NXH040P120MNF1PG
- onsemi
-
1:
65,82 €
-
56Gamyklos turimos atsargos
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH040P120MNF1PG
|
onsemi
|
MOSFET moduliai PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
|
|
56Gamyklos turimos atsargos
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
Module
|
N-Channel
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT MODULES 600V 50A
- F3L50R06W1E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
29,31 €
-
Vykdymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-F3L50R06W1E3_B11
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT MODULES 600V 50A
|
|
Vykdymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 400A 650V
- FF400R07KE4
- Infineon Technologies
-
1:
120,50 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF400R07KE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 400A 650V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS1P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
474,59 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS1P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS1P4B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
410,59 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS1P4B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1.4mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
- GCMS2P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
331,69 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS2P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 2mO SiC MOSFET & SBD Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
- GCMX1P0B120S4B1-N
- SemiQ
-
10:
321,62 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX1P0B120S4B1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai Gen3 1200V 1mO SiC MOSFET Half Bridge Module, 62mm
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 10
Daugkart.: 10
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|