|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1
- APTM50H15FT1G
- Microchip Technology
-
1:
53,95 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APTM50H15FT1G
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SP1-12
|
N-Channel
|
|
|
25 A
|
130 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
3 V
|
- 40 C
|
+ 100 C
|
208 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
- IXTN170P10P
- IXYS
-
1:
36,65 €
-
495Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN170P10P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
|
|
495Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
|
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
IXTN170P10
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
- IXTN600N04T2
- IXYS
-
1:
35,31 €
-
2 078Prieinamumas
-
2 340Tikėtina 2026-10-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN600N04T2
|
IXYS
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
2 078Prieinamumas
2 340Tikėtina 2026-10-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227B-4
|
N-Channel
|
|
40 V
|
600 A
|
1.3 mOhms
|
- 20 V, + 20 V
|
3.5 V
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
940 W
|
IXTN600N04
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
- BSM120D12P2C005
- ROHM Semiconductor
-
1:
389,66 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM120D12P2C005
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
SiC
|
Screw Mount
|
Module
|
N-Channel
|
2 Channel
|
1.2 kV
|
134 A
|
|
- 6 V, + 22 V
|
2.3 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
935 W
|
BSMx
|
Bulk
|
|
|
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS 8 800 V 53 A SOT-227
- APT53F80J
- Microchip Technology
-
1:
54,70 €
-
5Prieinamumas
-
102Tikėtina 2027-04-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT53F80J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai FREDFET MOS 8 800 V 53 A SOT-227
|
|
5Prieinamumas
102Tikėtina 2027-04-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
57 A
|
70 mOhms
|
- 30 V, + 30 V
|
2.5 V
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
960 W
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 8 800 V 32 A SOT-227
Microchip Technology APT32M80J
- APT32M80J
- Microchip Technology
-
1:
26,16 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT32M80J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 8 800 V 32 A SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 7 500 V 50 mOhm SOT-227
Microchip Technology APT50M50JLL
- APT50M50JLL
- Microchip Technology
-
20:
45,13 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT50M50JLL
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 7 500 V 50 mOhm SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
|
|
Min.: 20
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
|
- 30 V, + 30 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET moduliai
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
98,43 €
-
21Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF23MR12W1M1B11
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai
|
|
21Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Si
|
Screw Mount
|
Easy1B-2
|
N-Channel
|
|
1.2 kV
|
25 A
|
45 mOhms
|
+ 5.55 V
|
3.5 V
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
20 mW
|
|
Tray
|
|