Advanced Linear Devices MOSFETs

Rezultatai: 109
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Duomenų Lapas
42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Duomenų Lapas
43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.14 kOhms - 8 V, 8 V 180 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Duomenų Lapas
119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
50Tikėtina 2026-09-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms, 500 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 P-Channel 4 Channel 8 V 80 mA 1.1 kOhms - 8 V, 8 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Duomenų Lapas
1 139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Duomenų Lapas
43Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Duomenų Lapas
79Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Channel Array
Duomenų Lapas
41Prieinamumas
100Tikėtina 2026-09-04
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel Array
Duomenų Lapas
55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad EPAD(R) N-Ch
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10 V 12 mA 500 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Duomenų Lapas
32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Duomenų Lapas
58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFETs Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Duomenų Lapas
75Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PDIP-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 0 V 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Duomenų Lapas
39Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Duomenų Lapas
45Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube