Diskretieji Puslaidininkiai

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 4 054
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
Duomenų Lapas
48Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole STPAK-4
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
374Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
768Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 HC package
Duomenų Lapas
1 095Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
940Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
930Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 650 V, 16A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
992Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Duomenų Lapas
1 340Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics TRIAC Hi temp 10A TRIAC
Duomenų Lapas
1 616Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
Duomenų Lapas
223Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
Duomenų Lapas
695Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics ESD apsaugos diodai / TVS diodai 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
Duomenų Lapas
2 236Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics ESD apsaugos diodai / TVS diodai 5000 W, 6.5 V TVS in SMC
Duomenų Lapas
2 102Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics ESD apsaugos diodai / TVS diodai 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni
Duomenų Lapas
1 690Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Duomenų Lapas
2 258Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Duomenų Lapas
922Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
637Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
341Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT FCLGA-8
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
693Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
: 3 000

GaN FETs GaN SMD/SMT PowerFLAT-8
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
552Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Duomenų Lapas
88Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-10-16
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
Duomenų Lapas
210Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4