|
|
SiC MOSFET 1200V 21mOhm in TO247
- IXSH100N120L3KHV
- IXYS
-
1:
14,63 €
-
200Prieinamumas
-
450Tikėtina 2027-03-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH100N120L3KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 21mOhm in TO247
|
|
200Prieinamumas
450Tikėtina 2027-03-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 35mOhm in TO247
- IXSH65N120L3KHV
- IXYS
-
1:
8,87 €
-
6Prieinamumas
-
642Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH65N120L3KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 35mOhm in TO247
|
|
6Prieinamumas
642Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
6 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
450 Tikėtina 2026-11-09
192 Tikėtina 2026-12-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 55mOhm in TO247
- IXSH50N120L3KHV
- IXYS
-
1:
8,29 €
-
7Prieinamumas
-
640Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH50N120L3KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 55mOhm in TO247
|
|
7Prieinamumas
640Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
7 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
190 Tikėtina 2026-12-14
450 Tikėtina 2027-03-03
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF030120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
11,91 €
-
210Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF030120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
210Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,48 €
-
758Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ75R040M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 in D2PAK 7pin, Q-DPAK TSC and TO247 4pin automotive and industrial qualified
|
|
758Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF017120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
18,24 €
-
195Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF017120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
195Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R450MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
6,20 €
-
1 707Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R450MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
1 707Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
35,69 €
-
5Prieinamumas
-
1 440Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
5Prieinamumas
1 440Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2026-12-03
720 Tikėtina 2027-10-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
- NSF040120T1A1HP
- Nexperia
-
1:
10,78 €
-
182Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120T1A1HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
|
|
182Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF060120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
9,38 €
-
210Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF060120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
210Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
10,82 €
-
391Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T020A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
391Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,60 €
-
1 002Prieinamumas
-
750Tikėtina 2027-10-25
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 002Prieinamumas
750Tikėtina 2027-10-25
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,67 €
-
1 719Prieinamumas
-
750Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 719Prieinamumas
750Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,92 €
-
909Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
909Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,33 €
-
314Prieinamumas
-
750Tikėtina 2026-11-30
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
314Prieinamumas
750Tikėtina 2026-11-30
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,32 €
-
2 155Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
2 155Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R010M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,57 €
-
335Prieinamumas
-
2 000Tikėtina 2027-01-28
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-01-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
- IMZC140R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
26,77 €
-
238Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC140R011M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
|
|
238Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
240
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
8,45 €
-
790Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
790Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA80N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
12,32 €
-
760Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA80N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
760Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH40N120L2KHV
- IXYS
-
1:
8,51 €
-
374Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
374Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH80N120L2KHV
- IXYS
-
1:
12,79 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH80N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
292Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
- NVH4L070N120M3S-IE
- onsemi
-
1:
16,17 €
-
450Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H4L070N120M3S-IE
Naujas Produktas
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V
|
|
450Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 45
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
6,02 €
-
154Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T080A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
154Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
- NSF030120D7A0-QJ
- Nexperia
-
1:
10,28 €
-
660Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF030120D7A0-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
|
|
660Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|