|
|
MOSFET moduliai 360 Amps 100V
- IXFN360N10T
- IXYS
-
1:
29,37 €
-
1 557Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN360N10T
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 360 Amps 100V
|
|
1 557Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
33,15 €
-
629Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R007M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
629Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 300 V 40 mOhm SOT-227
- APT30M40JVR
- Microchip Technology
-
1:
30,88 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT30M40JVR
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 300 V 40 mOhm SOT-227
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R016M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,03 €
-
5Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R016M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
5Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2027-04-29
720 Tikėtina 2027-05-20
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
24,77 €
-
31Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
24,17 €
-
453Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R011M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
453Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R020M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,29 €
-
240Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-08-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R020M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
240Prieinamumas
240Tikėtina 2027-08-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,62 €
-
391Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R025M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
391Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,05 €
-
373Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
373Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,25 €
-
302Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-08-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R040M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
302Prieinamumas
240Tikėtina 2027-08-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R050M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,17 €
-
470Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R050M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
470Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,16 €
-
490Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R060M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
490Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-DIODE-FRED-D-SOT227
Microchip Technology APT100DL60HJ
- APT100DL60HJ
- Microchip Technology
-
1:
22,48 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT100DL60HJ
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-DIODE-FRED-D-SOT227
|
|
32Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
- SCT4018KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
23,99 €
-
994Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4018KWATL
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
|
|
994Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
- C3M0900170J-TR
- Wolfspeed
-
1:
5,10 €
-
2 412Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0900170J-TR
Naujas Produktas
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
|
|
2 412Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ25N120R1
- IXYS
-
1:
13,92 €
-
384Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ25N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
384Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ43N120R1
- IXYS
-
1:
18,64 €
-
438Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ43N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
438Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
- IXSJ43N120R1K
- IXYS
-
1:
17,98 €
-
280Prieinamumas
-
100Tikėtina 2026-12-21
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ43N120R1K
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
|
|
280Prieinamumas
100Tikėtina 2026-12-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
ISO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ80N120R1
- IXYS
-
1:
30,15 €
-
430Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ80N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
430Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
- IXSJ80N120R1K
- IXYS
-
1:
29,99 €
-
90Prieinamumas
-
300Tikėtina 2027-01-18
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ80N120R1K
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
|
|
90Prieinamumas
300Tikėtina 2027-01-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
ISO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
- SCT4036KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
13,86 €
-
954Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4036KWATL
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
|
|
954Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
- C3M0900170D
- Wolfspeed
-
1:
5,24 €
-
1 320Prieinamumas
-
900Tikėtina 2026-12-07
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0900170D
Naujas Produktas
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial
|
|
1 320Prieinamumas
900Tikėtina 2026-12-07
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
- MSC080SMA330B4N
- Microchip Technology
-
1:
54,27 €
-
1 890Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC080SMA330B4N
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
|
|
1 890Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
- SCT4026DWAHRTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
16,88 €
-
1 439Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4026DWAHRTL
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
|
|
1 439Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
- C3M0900170M
- Wolfspeed
-
1:
4,61 €
-
251Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0900170M
Naujas Produktas
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial
|
|
251Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|