|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
66,04 €
-
33Prieinamumas
-
61Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCTHC250N120G3AG
Naujas Produktas
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
33Prieinamumas
61Pagal užsakymą
|
|
|
66,04 €
|
|
|
52,35 €
|
|
|
44,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
STPAK-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 200 V 22 mOhm SOT-227
Microchip Technology APT20M22JVR
- APT20M22JVR
- Microchip Technology
-
1:
26,37 €
-
490Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT20M22JVR
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 200 V 22 mOhm SOT-227
|
|
490Prieinamumas
|
|
|
26,37 €
|
|
|
26,14 €
|
|
|
23,87 €
|
|
|
23,81 €
|
|
|
23,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-5-SOT227
- APT10M11JVRU2
- Microchip Technology
-
1:
24,64 €
-
18Prieinamumas
-
64Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT10M11JVRU2
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-5-SOT227
|
|
18Prieinamumas
64Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
18 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
32 Tikėtina 2026-08-31
32 Tikėtina 2026-11-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 300 V 40 mOhm SOT-227
- APT30M40JVR
- Microchip Technology
-
1:
30,88 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT30M40JVR
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET MOS 5 300 V 40 mOhm SOT-227
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
24,77 €
-
33Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
33Prieinamumas
|
|
|
24,77 €
|
|
|
22,62 €
|
|
|
22,33 €
|
|
|
19,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
24,52 €
-
474Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R011M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
474Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R016M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
18,65 €
-
291Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R016M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
291Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R020M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,62 €
-
340Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R020M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
340Prieinamumas
|
|
|
16,62 €
|
|
|
12,42 €
|
|
|
10,73 €
|
|
|
10,17 €
|
|
|
8,65 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,62 €
-
431Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R025M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
431Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
|
|
|
13,62 €
|
|
|
7,71 €
|
|
|
7,18 €
|
|
|
6,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,05 €
-
476Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
476Prieinamumas
|
|
|
12,05 €
|
|
|
6,73 €
|
|
|
6,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,25 €
-
338Prieinamumas
-
240Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R040M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
338Prieinamumas
240Pagal užsakymą
|
|
|
10,25 €
|
|
|
7,41 €
|
|
|
6,18 €
|
|
|
5,50 €
|
|
|
4,68 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R050M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,17 €
-
490Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R050M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
490Prieinamumas
|
|
|
9,17 €
|
|
|
4,98 €
|
|
|
4,61 €
|
|
|
4,10 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,16 €
-
500Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R060M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
500Prieinamumas
|
|
|
8,16 €
|
|
|
4,38 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
4,03 €
|
|
|
3,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
33,15 €
-
153Prieinamumas
-
480Tikėtina 2026-09-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA75R007M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V
|
|
153Prieinamumas
480Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
33,15 €
|
|
|
27,06 €
|
|
|
23,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
- SCT4018KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
23,99 €
-
994Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4018KWATL
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
|
|
994Prieinamumas
|
|
|
23,99 €
|
|
|
16,67 €
|
|
|
15,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ25N120R1
- IXYS
-
1:
13,92 €
-
384Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ25N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 62mohm (25A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
384Prieinamumas
|
|
|
13,92 €
|
|
|
7,89 €
|
|
|
7,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ43N120R1
- IXYS
-
1:
18,64 €
-
438Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ43N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
438Prieinamumas
|
|
|
18,64 €
|
|
|
11,73 €
|
|
|
11,46 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
- IXSJ43N120R1K
- IXYS
-
1:
17,98 €
-
286Prieinamumas
-
100Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ43N120R1K
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 18mOhm (30A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
|
|
286Prieinamumas
100Pagal užsakymą
|
|
|
17,98 €
|
|
|
11,28 €
|
|
|
11,27 €
|
|
|
10,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
ISO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
- IXSJ80N120R1
- IXYS
-
1:
30,15 €
-
460Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ80N120R1
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 18mohm (30A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L
|
|
460Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3L
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
- IXSJ80N120R1K
- IXYS
-
1:
29,99 €
-
100Prieinamumas
-
300Tikėtina 2026-09-29
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSJ80N120R1K
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 36mOhm (43A at 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-4L
|
|
100Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-29
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
ISO247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
- SCT4036KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
13,86 €
-
984Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4036KWATL
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
|
|
984Prieinamumas
|
|
|
13,86 €
|
|
|
9,77 €
|
|
|
8,26 €
|
|
|
7,83 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
- SCT4026DWAHRTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
16,55 €
-
1 439Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4026DWAHRTL
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
|
|
1 439Prieinamumas
|
|
|
16,55 €
|
|
|
12,61 €
|
|
|
10,51 €
|
|
|
9,37 €
|
|
|
8,74 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
- MSC080SMA330B4N
- Microchip Technology
-
1:
54,27 €
-
110Prieinamumas
-
1 260Tikėtina 2026-10-26
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-MSC080SMA330B4N
"Mouser Naujiena"
|
Microchip Technology
|
SiC MOSFET MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
|
|
110Prieinamumas
1 260Tikėtina 2026-10-26
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
- SCT4026DWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
14,92 €
-
547Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4026DWATL
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
|
|
547Prieinamumas
|
|
|
14,92 €
|
|
|
9,09 €
|
|
|
9,08 €
|
|
|
8,48 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
- SCT4045DWAHRTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,47 €
-
1 996Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4045DWAHRTL
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
|
|
1 996Prieinamumas
|
|
|
10,47 €
|
|
|
5,89 €
|
|
|
5,74 €
|
|
|
5,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|