M Serija IGBT

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
Duomenų Lapas
1 086Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
457Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Duomenų Lapas
343Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Duomenų Lapas
138Prieinamumas
600Tikėtina 2026-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Duomenų Lapas
1 593Tikėtina 2026-08-31
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Duomenų Lapas
592Tikėtina 2027-08-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube