|
|
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
- UJ3C065080B3
- onsemi
-
1:
9,86 €
-
196Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UJ3C065080B3
Netinkama eksploatuoti
|
onsemi
|
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
|
|
196Prieinamumas
|
|
|
9,86 €
|
|
|
6,82 €
|
|
|
5,31 €
|
|
|
5,26 €
|
|
|
4,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15-27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
- BM2SCQ123T-LBZ
- ROHM Semiconductor
-
1:
12,07 €
-
238Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BM2SCQ123T-LBZ
Netinkama eksploatuoti
|
ROHM Semiconductor
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai PMIC, AC/DC Converter IC with 15-27.5V Input including SiC MOSFET 1,700V, 120kHz Switching
|
|
238Prieinamumas
|
|
|
12,07 €
|
|
|
9,52 €
|
|
|
8,71 €
|
|
|
8,12 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
8,11 €
|
|
|
8,10 €
|
|
|
8,01 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8m, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial
- CAB008A12GM3
- Wolfspeed
-
1:
173,01 €
-
33Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB008A12GM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8m, 1200V, 48 mm, AlN GM3, Half-Bridge, Industrial
|
|
33Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 35W 1700V
- INN3947FQ-MR
- Power Integrations
-
1:
8,26 €
-
2Prieinamumas
-
300Tikėtina 2026-10-01
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
869-INN3947FQ-MR
Naujas Produktas
|
Power Integrations
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 35W 1700V
|
|
2Prieinamumas
300Tikėtina 2026-10-01
|
|
|
8,26 €
|
|
|
6,42 €
|
|
|
5,96 €
|
|
|
5,46 €
|
|
|
5,24 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
5,18 €
|
|
|
5,12 €
|
|
|
4,99 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
300
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,18 €
-
437Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
5,18 €
|
|
|
3,39 €
|
|
|
3,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC100SM70JCU3
- Microchip Technology
-
1:
43,54 €
-
6Prieinamumas
-
176Tikėtina 2026-11-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSC100SM70JCU3
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
6Prieinamumas
176Tikėtina 2026-11-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
- AIMDQ75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,32 €
-
5Prieinamumas
-
750Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMDQ75R020M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
|
|
5Prieinamumas
750Pagal užsakymą
|
|
|
16,32 €
|
|
|
12,13 €
|
|
|
10,49 €
|
|
|
9,93 €
|
|
|
9,93 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
- GP2T080A120J
- SemiQ
-
1:
7,08 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T080A120J
|
SemiQ
|
SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
|
|
6Prieinamumas
|
|
|
7,08 €
|
|
|
4,99 €
|
|
|
4,02 €
|
|
|
3,58 €
|
|
|
3,17 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
- MSCSM120DUM31CTBL1NG
- Microchip Technology
-
1:
106,20 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
579-M120DUM31CTBL1NG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
- AIMZA75R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,88 €
-
5Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-09-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMZA75R025M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V
|
|
5Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
15,88 €
|
|
|
12,09 €
|
|
|
8,17 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM600D12P3G001
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 658,02 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM600D12P3G001
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
- MSCSM120HM50CT3AG
- Microchip Technology
-
1:
115,87 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120HM50CT3AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
- MSCDC50H1201AG
- Microchip Technology
-
1:
77,39 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-MSCDC50H1201AG
|
Microchip Technology
|
Diodų moduliai PM-DIODE-SIC-SBD-SP1F
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
- AIMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,59 €
-
13Prieinamumas
-
1 000Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-AIMBG75R020M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET 750V G2
|
|
13Prieinamumas
1 000Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
- UF3C120080B7S
- onsemi
-
1:
16,54 €
-
643Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UF3C120080B7S
|
onsemi
|
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
|
|
643Prieinamumas
|
|
|
16,54 €
|
|
|
11,77 €
|
|
|
10,37 €
|
|
|
10,29 €
|
|
|
9,68 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
- MSCSM120AM50CT1AG
- Microchip Technology
-
1:
66,90 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-120AM50CT1AG
|
Microchip Technology
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-SP1F
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
- SCT4026DEHRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
16,06 €
-
787Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4026DEHRC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
|
|
787Prieinamumas
|
|
|
16,06 €
|
|
|
10,46 €
|
|
|
10,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
- SCT4062KEHRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
10,17 €
-
499Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4062KEHRC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
|
|
499Prieinamumas
|
|
|
10,17 €
|
|
|
6,87 €
|
|
|
6,31 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
- NXH400N100H4Q2F2PG
- onsemi
-
1:
184,74 €
-
35Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H400N100H4Q2F2PG
|
onsemi
|
Igbt Moduliai MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
|
|
35Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
- NTBG045N065SC1
- onsemi
-
1:
11,52 €
-
794Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG045N065SC1
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
|
|
794Prieinamumas
|
|
|
11,52 €
|
|
|
8,28 €
|
|
|
6,99 €
|
|
|
6,67 €
|
|
|
6,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
- NTH4L015N065SC1
- onsemi
-
1:
22,60 €
-
202Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L015N065SC1
|
onsemi
|
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
|
|
202Prieinamumas
|
|
|
22,60 €
|
|
|
16,77 €
|
|
|
15,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės Automotive reinforce d isolated switch d
- TPSI3120QDVXRQ1
- Texas Instruments
-
1:
5,44 €
-
788Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-TPSI3120QDVXRQ1
Naujas Produktas
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės Automotive reinforce d isolated switch d
|
|
788Prieinamumas
|
|
|
5,44 €
|
|
|
4,18 €
|
|
|
3,86 €
|
|
|
3,51 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
3,38 €
|
|
|
3,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
- FF1000UXTR23T2M1BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
3 914,91 €
-
7Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1000UXTR23T2B1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R004M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
62,75 €
-
1 455Prieinamumas
-
1 500Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R004M2HXU
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1 455Prieinamumas
1 500Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 455 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
750 Tikėtina 2026-09-10
750 Tikėtina 2026-10-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
62,75 €
|
|
|
54,52 €
|
|
|
49,13 €
|
|
|
45,61 €
|
|
|
45,61 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,57 €
-
1 407Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT40R011M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 407Prieinamumas
|
|
|
15,57 €
|
|
|
9,11 €
|
|
|
9,08 €
|
|
|
9,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
Lietuva
