|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
5,28 €
-
135Prieinamumas
-
60Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T080A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
135Prieinamumas
60Pagal užsakymą
|
|
|
5,28 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
2,74 €
|
|
|
2,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,14 €
-
38Prieinamumas
-
2 250Tikėtina 2026-09-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
38Prieinamumas
2 250Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
7,14 €
|
|
|
4,85 €
|
|
|
3,57 €
|
|
|
3,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,11 €
-
203Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
203Prieinamumas
|
|
|
11,11 €
|
|
|
6,68 €
|
|
|
5,79 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMZA65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
23,68 €
-
9Prieinamumas
-
720Tikėtina 2027-05-27
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R010M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
9Prieinamumas
720Tikėtina 2027-05-27
|
|
|
23,68 €
|
|
|
15,69 €
|
|
|
14,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMZA65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,37 €
-
21Prieinamumas
-
5 760Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R033M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
21Prieinamumas
5 760Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
21 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-08-25
2 640 Tikėtina 2026-09-03
2 880 Tikėtina 2026-10-22
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
11,37 €
|
|
|
6,85 €
|
|
|
5,97 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
- IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,24 €
-
86Prieinamumas
-
720Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
|
|
86Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
86 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-09-24
240 Tikėtina 2026-11-12
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
|
13,24 €
|
|
|
8,68 €
|
|
|
7,96 €
|
|
|
7,31 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
- NSF030120D7A0-QJ
- Nexperia
-
1:
10,28 €
-
660Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF030120D7A0-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
|
|
660Prieinamumas
|
|
|
10,28 €
|
|
|
7,12 €
|
|
|
5,33 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
- NSF040120D7A1-QJ
- Nexperia
-
1:
9,39 €
-
795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1-QJ
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263-
|
|
795Prieinamumas
|
|
|
9,39 €
|
|
|
6,48 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
4,68 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
- NSF040120D7A1J
- Nexperia
-
1:
9,04 €
-
795Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120D7A1J
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L
|
|
795Prieinamumas
|
|
|
9,04 €
|
|
|
6,23 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24783-120 SL
- Central Semiconductor
-
1:
24,62 €
-
40Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CDM24783120SL
Naujas Produktas
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMZA65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,94 €
-
74Prieinamumas
-
480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R060M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
74Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
74 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-10-22
240 Tikėtina 2027-02-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
7,94 €
|
|
|
5,43 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,72 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
35,64 €
-
2Prieinamumas
-
960Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
2Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
2 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2027-01-28
240 Tikėtina 2027-06-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
35,64 €
|
|
|
27,11 €
|
|
|
24,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
- NSF040120L4A1Q
- Nexperia
-
1:
9,80 €
-
20Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120L4A1Q
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
|
|
20Prieinamumas
|
|
|
9,80 €
|
|
|
6,78 €
|
|
|
6,78 €
|
|
|
4,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
30
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R20MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
92,19 €
-
102Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R20MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
102Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R30MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
23,47 €
-
289Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R30MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
289Prieinamumas
|
|
|
23,47 €
|
|
|
22,86 €
|
|
|
17,22 €
|
|
|
16,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R45MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
31,48 €
-
117Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R45MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
117Prieinamumas
|
|
|
31,48 €
|
|
|
31,06 €
|
|
|
25,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R160MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
17,27 €
-
5Prieinamumas
-
1 800Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R160MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 200 Tikėtina 2026-12-01
600 Tikėtina 2027-01-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
|
17,27 €
|
|
|
14,01 €
|
|
|
9,56 €
|
|
|
8,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,29 €
-
4 396Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R026M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
4 396Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
796 Tikėtina 2026-09-11
3 600 Tikėtina 2027-05-06
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
11,29 €
|
|
|
7,87 €
|
|
|
6,34 €
|
|
|
5,92 €
|
|
|
5,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R015M2HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,07 €
-
4 000Tikėtina 2027-08-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R015M2HXUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
4 000Tikėtina 2027-08-05
|
|
|
16,07 €
|
|
|
11,42 €
|
|
|
10,00 €
|
|
|
9,34 €
|
|
|
9,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,11 €
-
1 920Tikėtina 2027-08-09
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R026M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
1 920Tikėtina 2027-08-09
|
|
|
13,11 €
|
|
|
8,57 €
|
|
|
7,46 €
|
|
|
7,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,63 €
-
1 992Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R040M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
1 992Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
552 Tikėtina 2026-10-29
240 Tikėtina 2026-11-19
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
10,63 €
|
|
|
5,98 €
|
|
|
5,54 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
5,45 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF017120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
18,24 €
-
300Tikėtina 2026-08-26
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF017120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF017120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
300Tikėtina 2026-08-26
|
|
|
18,24 €
|
|
|
13,62 €
|
|
|
11,78 €
|
|
|
11,17 €
|
|
|
11,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
- NSF040120T1A1HP
- Nexperia
-
1:
10,78 €
-
300Tikėtina 2026-08-26
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF040120T1A1HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK
|
|
300Tikėtina 2026-08-26
|
|
|
10,78 €
|
|
|
7,80 €
|
|
|
6,49 €
|
|
|
5,79 €
|
|
|
4,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
- NSF060120T1A0HP
- Nexperia
-
1:
9,38 €
-
300Tikėtina 2026-08-26
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF060120T1A0HP
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK
|
|
300Tikėtina 2026-08-26
|
|
|
9,38 €
|
|
|
6,63 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
4,93 €
|
|
|
4,92 €
|
|
|
4,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
QDPAK-22
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R450MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
8,73 €
-
1 740Tikėtina 2026-10-09
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R450MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
1 740Tikėtina 2026-10-09
|
|
|
8,73 €
|
|
|
5,35 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,81 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
4,65 €
|
|
|
4,51 €
|
|
|
4,49 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|